Flaş yaddaş, yarım ötürmə texnologiyası və elektriklə yenidən proqramlaşdırıla bilən yaddaş formasıdır. Eyni konsepsiya texnoloji cəhətdən mükəmməl həlləri göstərmək üçün elektron dövrədə də istifadə edilə bilər. Gündəlik həyatda bu konsepsiya məlumatların saxlanması üçün geniş bir sintez edilmiş qatı hal cihazları üçün müəyyən edilmişdir.
Zəruri
USB flash sürücü, internet bağlantısı olan kompüter
Təlimat
Addım 1
Bu texnologiyanın işləmə prinsipi yarımkeçirici bir quruluşdakı elektrik yükünün təcrid olunmuş sahələrindəki dəyişikliklərə və qeydlərə əsaslanır. Belə bir yükün dəyişdirilməsi, yəni qeyd edilməsi və silinməsi, daha böyük potensialın mənbəyi ilə qapısı arasında yerləşən bir tətbiqin köməyi ilə baş verir. Beləliklə, nazik bir dielektrik sahədə tranzistor və cib arasında kifayət qədər elektrik sahəsi gücü yaranır. Tünel effekti belə yaranır.
Addım 2
Yaddaş mənbələri yük dəyişikliyinə əsaslanır. Bəzən quruluşundakı geri dönməz hadisələrin məcmu təsiri ilə əlaqələndirilir. Bu səbəbdən giriş xanası üçün giriş sayı məhduddur. MLC üçün bu rəqəm ümumiyyətlə 10 min ədəd, SLC üçün isə 100 min ədədə qədərdir.
Addım 3
Məlumatların saxlanma müddəti, ittihamların nə qədər saxlandığı ilə müəyyən edilir və bu, ümumiyyətlə əksər ev məhsulları istehsalçıları tərəfindən bildirilir. On ildən iyirmi ili keçmir. Baxmayaraq ki, istehsalçılar yalnız ilk beş il üçün zəmanət verirlər. Bununla birlikdə, MLC cihazlarının SLC cihazlarından daha qısa məlumat saxlama müddətlərinə sahib olduqlarını qeyd etmək lazımdır.
Addım 4
Flaş yaddaşın hiyerarşik quruluşu aşağıdakı faktla izah olunur. Yazmaq və silmək, eləcə də flash sürücidən məlumat oxumaq kimi proseslər müxtəlif ölçülü böyük bloklarda baş verir. Məsələn, silmək bloku yazı blokundan daha böyükdür və bu da öz növbəsində oxunan blokdan kiçikdir. Bu, flash yaddaşın klassikdən fərqli bir xüsusiyyəti. Nəticədə, onun bütün mikrosxemləri açıq bir iyerarxik quruluşa sahibdir. Beləliklə, yaddaş bloklara, bölmələr və səhifələrə bölünür.
Addım 5
Silinmə, oxumaq və yazma sürəti fərqlidir. Məsələn, silinmə sürəti bir ilə yüz milisaniyə arasında dəyişə bilər. Bu silinən məlumatın ölçüsündən asılıdır. Qeyd sürəti onlarla və ya yüzlərlə mikrosaniyədir. Oxu sürəti ümumiyyətlə onlarla nanosaniyadır.
Addım 6
Flaş yaddaşın istifadə xüsusiyyətləri onun xüsusiyyətləri ilə diktə edilir. İstənilən sayda qüsurlu yaddaş hüceyrəsi olan mikrosxemlərin istehsalına və satışına icazə verilir. Bu faizi aşağı salmaq üçün hər səhifə kiçik əlavə bloklarla təmin olunur.
Addım 7
Flaş yaddaşın zəif nöqtəsi, bir səhifədəki yenidən yazma dövrlərinin sayının məhdud olmasıdır. Vəziyyət, fayl sistemlərinin tez-tez eyni yaddaş yerinə yazması səbəbindən daha da pisləşir.
